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| Numero de parte | BSD816SNH6327XTSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT363-6 |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
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