Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF NESG2101M05-A

CEL NESG2101M05-A

Artikelnummer
NESG2101M05-A
Hersteller
CEL
Beschreibung
TRANS NPN 2GHZ M05
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Produktparameter
Artikelnummer NESG2101M05-A
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 5V
Frequenz - Übergang 17GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinnen 11dB ~ 19dB
Leistung max 500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 15mA, 2V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Lieferantengerätepaket M05
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