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| Artikelnummer | CSICD10-650 BK |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 125µA @ 650V |
| Kapazität @ Vr, F | 325pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: 5A,1200V SURFACE MOUNT RECTIFIER
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: 10A,1200V SURFACE MOUNT RECTIFIE
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: 10A,1200V SURFACE MOUNT RECTIFIE
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
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