Artikelnummer | CY14B108N-BA25XI |
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Teilstatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | NVSRAM |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.7 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 48-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 48-FBGA (6x10) |
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 16SOIC
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Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 16SOIC
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Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOIC
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Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOIC
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Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOIC
Auf Lager: 144
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 3.4MHZ 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48SSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48SSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 35NS 48SSOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung: IC NVSRAM 1MBIT 35NS 48SSOP
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