Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays DMC1017UPD-13

Diodes Incorporated DMC1017UPD-13

Artikelnummer
DMC1017UPD-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DMC1017UPD-13
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.5A, 6.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 35.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1787pF @ 6V
Leistung max 2.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8
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