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| Artikelnummer | DMC6070LND-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.1A, 2.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 731pF @ 20V |
| Leistung max | 1.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
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