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| Artikelnummer | DMG1016V-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 870mA, 640mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
| Leistung max | 530mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
Auf Lager: 48000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Auf Lager: 129000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Auf Lager: 63000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET PCH 20V 820MA SOT323
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Auf Lager: 36000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Auf Lager: 42000
