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| Artikelnummer | DMG6301UDW-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 240mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 27.9pF @ 10V |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Auf Lager: 130000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Auf Lager: 159000
