Artikelnummer | DMG6968LSD-13 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 10V |
Vgs (Max) | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | - |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 3.5A, 1.8V |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | - |
Paket / Fall | - |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
Auf Lager: 84000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26
Auf Lager: 63000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
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