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| Artikelnummer | DMG9926USD-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 867pF @ 15V |
| Leistung max | 1.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
Auf Lager: 7500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
Auf Lager: 0
