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| Artikelnummer | DMN1019USN-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2426pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 680mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-59 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Auf Lager: 4000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN1010-
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Auf Lager: 6000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Auf Lager: 20000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Auf Lager: 3000
