Artikelnummer | DMN2010UDZ-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 24V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33.2nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2665pF @ 10V |
Leistung max | 700mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | U-DFN2535-6 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Auf Lager: 168600
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
Auf Lager: 24000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323
Auf Lager: 225000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Auf Lager: 156000