Artikelnummer | DMN2011UFX-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.2A (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2248pF @ 10V |
Leistung max | 2.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 4-VFDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | V-DFN2050-4 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Auf Lager: 168600
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
Auf Lager: 24000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323
Auf Lager: 225000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Auf Lager: 156000