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| Artikelnummer | DMN3190LDW-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 20V |
| Leistung max | 320mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V X2-DSN1006
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
Auf Lager: 15000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Auf Lager: 0
