Artikelnummer | DMN4027SSD-13 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.4A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 604pF @ 20V |
Leistung max | 1.8W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 28A TO252
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