Artikelnummer | DMN5L06DWK-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 305mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Leistung max | 250mW |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V SOT323
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
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