Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays DMN5L06DWK-7

Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7

Artikelnummer
DMN5L06DWK-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DMN5L06DWK-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 305mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Leistung max 250mW
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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