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| Artikelnummer | DMP1011UCB9-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 8V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 4V |
| Vgs (Max) | -6V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 890mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | U-WLB1515-9 |
| Paket / Fall | 9-UFBGA, WLBGA |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
Auf Lager: 12000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
Auf Lager: 8802000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 10A
Auf Lager: 1053000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
Auf Lager: 10000
