Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMP2002UPS-13

Diodes Incorporated DMP2002UPS-13

Artikelnummer
DMP2002UPS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DMP2002UPS-13
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 585nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12826pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.3W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.9 mOhm @ 25A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8
Paket / Fall 8-PowerTDFN
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