Artikelnummer | DMT3004LFG-7 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.4A (Ta), 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 15V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerDI3333-8 |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 30V 16A POWERDI
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