Diodes Incorporated DMT6004SCT

Artikelnummer: DMT6004SCT
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Diodes Incorporated

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Produktparameter

Artikelnummer	DMT6004SCT
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	95.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4556pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.3W (Ta), 113W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.65 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3