Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung UMG4N-7

Diodes Incorporated UMG4N-7

Artikelnummer
UMG4N-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer UMG4N-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Lieferantengerätepaket SOT-353
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