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| Artikelnummer | ZXMHC6A07N8TC |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.39A, 1.28A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 166pF @ 40V |
| Leistung max | 870mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
Auf Lager: 9000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Auf Lager: 2500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
Auf Lager: 13000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Auf Lager: 10000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Auf Lager: 52500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Auf Lager: 7000
