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| Artikelnummer | ZXMN10A07FTA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 700mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
Auf Lager: 19000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Auf Lager: 3000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
Auf Lager: 5000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Auf Lager: 106000
