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| Artikelnummer | ZXMP6A16DN8QTA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.9A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1021pF @ 30V |
| Leistung max | 1.81W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Auf Lager: 9000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
Auf Lager: 48000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Auf Lager: 24000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Auf Lager: 500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Auf Lager: 3500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Auf Lager: 17500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 60V DPAK
Auf Lager: 5000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC
Auf Lager: 4500
