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| Artikelnummer | FDMB3900AN |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 13V |
| Leistung max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 6-MLP
Auf Lager: 15000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2P-CH MLP2X3
Auf Lager: 6000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
Auf Lager: 9000
