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| Artikelnummer | FDMC89521L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.2A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1635pF @ 30V |
| Leistung max | 800mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: PT8+ TECHNOLOGY 30V DUAL N-CHANN
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V
Auf Lager: 15000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
Auf Lager: 9000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33
Auf Lager: 3000
