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| Artikelnummer | FDMS3660AS |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13A, 30A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 15V |
| Leistung max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | Power56 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A PT8
Auf Lager: 2643
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A PT8
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A PT8
Auf Lager: 3000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
Auf Lager: 3000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 19A PT8
Auf Lager: 156000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A PT8
Auf Lager: 429000
