Artikelnummer | FDMS9409_F085 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3130pF @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 100W (Tj) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 65A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Power56 |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A
Auf Lager: 3000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A 8PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 65A
Auf Lager: 9000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A POWER56
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET NCH 40V 30A POWER56
Auf Lager: 12000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
Auf Lager: 0