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| Artikelnummer | FDPC8012S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13A, 26A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 12A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 13V |
| Leistung max | 800mW, 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | Powerclip-33 |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Auf Lager: 1173
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
Auf Lager: 347
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
Auf Lager: 0
