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| Artikelnummer | FJV3114RMTF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Auf Lager: 57000
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
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Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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