Fairchild/ON Semiconductor HGTG10N120BND

Artikelnummer: HGTG10N120BND
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 1200V 35A 298W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - IGBTs - Einzeln

Fairchild / ON Semiconductor

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Menge:

Produktparameter

Artikelnummer	HGTG10N120BND
Teilstatus	Not For New Designs
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	35A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Leistung max	298W
Energie wechseln	850µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	23ns/165ns
Testbedingung	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	70ns
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-247-3
Lieferantengerätepaket	TO-247