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Artikelnummer | GB01SLT12-214 |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | SMB (DO-214AA) |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A
Auf Lager: 0
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
Auf Lager: 1853
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Auf Lager: 0