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Artikelnummer | GB02SLT12-214 |
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Teilstatus | Active |
Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | 131pF @ 1V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
Lieferantengerätepaket | DO-214AA |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 4A
Auf Lager: 45
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 300V 4A
Auf Lager: 176
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 4A
Auf Lager: 54
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A
Auf Lager: 0
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA
Auf Lager: 0
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC
Auf Lager: 2692
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Beschreibung: DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Auf Lager: 0