Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Module GSID100A120T2C1A

Global Power Technologies Group GSID100A120T2C1A

Artikelnummer
GSID100A120T2C1A
Hersteller
Global Power Technologies Group
Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

Auf Lager $ Stück Stück
  • Referenzpreis

    (In US-Dollar)
  • 1 pcs

    61.32834/pcs
  • 6 pcs

    61.32834/pcs
Gesamt:61.32834/pcs Unit Price:
61.32834/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer GSID100A120T2C1A
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Leistung max 800W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.7nF @ 25V
Eingang Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Ähnliche Produkte
GSID100A120S5C1

Hersteller: Global Power Technologies Group

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 170A

Auf Lager: 7

RFQ 59.73000/pcs
GSID100A120T2C1

Hersteller: Global Power Technologies Group

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Auf Lager: 0

RFQ 61.32834/pcs
GSID100A120T2C1A

Hersteller: Global Power Technologies Group

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Auf Lager: 0

RFQ 61.32834/pcs
GSID100A120T2P2

Hersteller: Global Power Technologies Group

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Auf Lager: 0

RFQ 68.56500/pcs