Artikelnummer | BFP196E6327HTSA1 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 10.5dB ~ 16.5dB |
Leistung max | 700mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT143-4 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143
Auf Lager: 15000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANS RF NPN 12V 150MA SOT343
Auf Lager: 3000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IC RF TRANS NPN SOT343-4
Auf Lager: 0