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| Artikelnummer | BSD840NH6327XTSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 880mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 1.6µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 10V |
| Leistung max | 500mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Auf Lager: 72000
