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| Artikelnummer | BSS119 E7796 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
Auf Lager: 3000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
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