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Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1

Artikelnummer
IGD01N120H2BUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Produktparameter
Artikelnummer IGD01N120H2BUMA1
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3.2A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 3.5A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
Leistung max 28W
Energie wechseln 140µJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 8.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 13ns/370ns
Testbedingung 800V, 1A, 241 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
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Hersteller: Infineon Technologies

Beschreibung: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3

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