Infineon Technologies IGP30N65H5XKSA1

Artikelnummer: IGP30N65H5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 650V TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - IGBTs - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IGP30N65H5XKSA1
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	55A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	90A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 30A
Leistung max	188W
Energie wechseln	280µJ (on), 100µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	70nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	19ns/177ns
Testbedingung	400V, 15A, 23 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3
Lieferantengerätepaket	PG-TO-220-3