Infineon Technologies IKD04N60RATMA1

Artikelnummer: IKD04N60RATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 600V 8A 75W TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - IGBTs - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IKD04N60RATMA1
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	8A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)	12A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Leistung max	75W
Energie wechseln	90µJ (on), 150µJ (off)
Eingabetyp	Standard
Gate Ladung	27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	14ns/146ns
Testbedingung	400V, 4A, 43 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	43ns
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket	PG-TO252-3