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| Artikelnummer | IPU06N03LAGXK |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 30A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
Auf Lager: 1
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
Auf Lager: 0
