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| Artikelnummer | IRF7103Q |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 255pF @ 25V |
| Leistung max | 2.4W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Auf Lager: 1656
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Auf Lager: 2695
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Auf Lager: 800
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Auf Lager: 1008
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Auf Lager: 22400
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Auf Lager: 0
