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| Artikelnummer | IRF8915TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.9A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
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