Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln IRFI4229PBF

Infineon Technologies IRFI4229PBF

Artikelnummer
IRFI4229PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Gesamt:1.65500/pcs Unit Price:
1.65500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IRFI4229PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4480pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 46W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
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