Artikelnummer | IRFI4229PBF |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4480pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 46W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 11A, 10V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 64A TO220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 71A TO220
Auf Lager: 150
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5
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