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| Artikelnummer | IRFSL7762PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 75V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 85A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4440pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 140W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 51A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 340
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
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