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| Artikelnummer | IRG7PG35UPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1000V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 55A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 60A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Leistung max | 210W |
| Energie wechseln | 1.06mJ (on), 620µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 85nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/160ns |
| Testbedingung | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT CHIP WAFER
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