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| Artikelnummer | IRL60HS118 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 10µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 11.5W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 11A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 195A
Auf Lager: 774
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Auf Lager: 397
