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| Artikelnummer | SPA04N50C3XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 560V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 31W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-FP |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
Auf Lager: 7631
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
Auf Lager: 1310
