Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln IXGT32N170 T&R

IXYS IXGT32N170 T&R

Artikelnummer
IXGT32N170 T&R
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT 1700V 75A 350W TO268
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
IXYS

IXYS

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Produktparameter
Artikelnummer IXGT32N170 T&R
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 75A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 32A
Leistung max 350W
Energie wechseln 11mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 155nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 45ns/270ns
Testbedingung 1020V, 32A, 2.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Lieferantengerätepaket TO-268
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