Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln IXYH100N65C3

IXYS IXYH100N65C3

Artikelnummer
IXYH100N65C3
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT 650V 200A 830W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
IXYS

IXYS

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Gesamt:4.65000/pcs Unit Price:
4.65000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer IXYH100N65C3
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 420A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 70A
Leistung max 830W
Energie wechseln 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 164nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 28ns/106ns
Testbedingung 400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH)
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